– Schlüsseltechnologie fördert die Effizienz und Miniaturisierung in Bereichen wie KI-Rechenzentren, Robotik und weiteren Anwendungen – Ein spezielles GaN-MPW-Set wird für Ende Oktober angeboten – Erweiterung der BCD-Kompetenz auf Verbindungshalbleiter wie GaN und SiC
DB HiTek, ein führender Anbieter von 8-Zoll-Spezialchips, hat heute bekannt gegeben, dass die Entwicklung seines 650-V-E-Mode-GaN-HEMT-Prozesses (Galliumnitrid-Hochgeschwindigkeits-Transistor) kurz vor dem Abschluss steht. Das Unternehmen plant zudem die Einführung eines speziellen GaN-MPW-(Multi-Projekt-Wafer)-Programms bis Ende Oktober.
Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-basierten Leistungshalbleitern bieten GaN-basierte Halbleiter überlegene Eigenschaften unter Bedingungen hoher Spannung, Frequenz und Temperatur sowie eine herausragende Energieeffizienz. Besonders hervorzuheben ist der 650-V-E-Mode-GaN-HEMT aufgrund seiner hohen Schaltgeschwindigkeit und stabilen Betriebsweise, was ihn ideal für Anwendungen in EV-Ladeinfrastrukturen, Stromwandlungssystemen in großen Rechenzentren sowie modernen 5G-Netzwerktechnologien macht.
Im Jahr 2022 erkannte DB HiTek das Potenzial von GaN und SiC als bedeutende Wachstumstreiber im Bereich der Verbindungshalbleiter an. Seitdem hat das Unternehmen umfangreiche Investitionen in die Prozessentwicklung getätigt. Ein Unternehmenssprecher erklärte: „DB HiTek ist international bekannt für seine Führungsposition bei siliziumbasierten Leistungshalbleitern; dazu gehört auch die Entwicklung des ersten branchenweiten 0,18 µm BCDMOS-Prozesses. Mit der Erweiterung um Fähigkeiten im Bereich GaN erwarten wir eine Steigerung unserer Wettbewerbsfähigkeit durch ein breites Technologieportfolio.“
Sobald der 650-V-GaN-HEMT-Prozess abgeschlossen ist, plant DB HiTek bis Ende 2026 auch einen neuen 200-V-GaN-Prozess sowie einen optimierten Prozess für integrierte Schaltungen (IC) mit einer Spannung von 650 V einzuführen. In Zukunft möchte das Unternehmen seine GaN-Plattform entsprechend den Anforderungen des Marktes weiter diversifizieren.
Zur Unterstützung dieser Vorhaben erweitert DB HiTek seine Reinraumanlagen im Werk Fab2 in Chungcheongbuk-do, Südkorea. Diese Erweiterung soll die Produktionskapazität um etwa 35.000 Wafer pro Monat erhöhen und somit sowohl die Herstellung von GaN-, BCDMOS- als auch SiC-Technologien fördern. Nach Abschluss dieser Maßnahmen wird sich die monatliche Gesamtkapazität des Unternehmens um beeindruckende 23 % erhöhen – von derzeit insgesamt 154.000 auf künftig rund190.000 Wafer.
Zudem wird DB HiTek an der ICSCRM (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials) teilnehmen, welche vom15.bis18.September2025imBEXCOinBusanstattfindet.DiesesglobaleBranchenevent bietet DBHiTekeineGelegenheit,densowohlGaNbzw.BCDMOS-TechnologieneuesteFortschrittealsauchEntwicklungenimSiC-BereichvorzustellenunddirektmitKundenundBranchenführerninsGesprächzukommen.
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Hyunjoo Yu/ hyunjoo.yu1@dbhitek.com
