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ROHM推出超紧凑型MOSFET,具备行业最低ON电阻,完美适用于快速充电应用

by
August 25, 2025
in Wirtschaft
0

ROHM Co., Ltd. hat den AW2K21 vorgestellt, einen N-Kanal-MOSFET mit einer Spannung von 30V in einer Common-Source-Konfiguration. Dieser bietet einen herausragenden ON-Widerstand von nur 2,0 Milliohm (typisch) und ist in einem kompakten WLCSP-Gehäuse mit den Abmessungen 2,0 mm x 2,0 mm untergebracht. Diese neueste Entwicklung reagiert auf die steigende Nachfrage nach Schnellladefunktionen in kleinen Geräten wie Smartphones und tragbaren Technologien, die sowohl bidirektionalen Schutz als auch hohe Strombelastbarkeit erfordern.

*ROHM Studie vom 8. Juli 2025

Produktmerkmale: Hier klicken

Traditionelle Lösungen setzen häufig zwei große MOSFETs ein, um strenge Anforderungen zu erfüllen – darunter ein Nennstrom von 20 A sowie eine Durchbruchspannung zwischen 28 und 30 V bei einem Einschaltwiderstand von maximal oder gleich 5 Milliohm –, was zu erhöhtem Platzbedarf auf der Leiterplatte führt und die Komplexität steigert. Der AW2K21 von ROHM überwindet diese Herausforderungen durch die Integration zweier MOSFETs in einem einzigen kompakten Gehäuse; dies ermöglicht bidirektionalen Schutz bei reduziertem Platzbedarf und verringerten Leistungsverlusten.

Leistungsvergleich: Hier klicken

Die innovative Struktur des AW2K21 erhöht die Zelldichte erheblich und positioniert den Drain-Anschluss an der Oberseite im Gegensatz zu herkömmlichen vertikalen Graben-MOSFETs. Dies verbessert das Verhältnis zwischen Chipgröße und Gehäusevolumen erheblich, minimiert den Einschaltwiderstand pro Flächeneinheit und unterstützt Hochstromanwendungen optimal. Im Vergleich zu traditionellen MOSFETs mit Abmessungen von 3,3 mm x 3,3 mm reduziert der AW2K21 sowohl die Grundfläche als auch den Einschaltwiderstand um etwa beeindruckende Werte: rund 81 % bzw. etwa 33 %. Zudem übertrifft er vergleichbare GaN-HEMTs durch bis zu eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um bis zu50 %.

Der AW2K21 eignet sich hervorragend für Anwendungen im Bereich Stromversorgung sowie Ladeschaltungen; zudem zeigt er seine Stärken auch als unidirektionaler Schutz-MOSFET in Lastschalteranwendungen auf. ROHM setzt seine Bemühungen zur Miniaturisierung fort mit einem neuen Modell in Entwicklung mit nur noch kleineren Abmessungen von lediglich1,2 mm x1 ,2mm.

Mit leistungsstarken Halbleiterlösungen fördert ROHM weiterhin Energieeffizienz sowie Miniaturisierung innerhalb der Elektronikbranche und trägt somit aktiv zur Schaffung einer nachhaltigeren Gesellschaft bei.

Kernmerkmale des Produkts: Hier klicken

Pressemitteilung: Hier klicken

AWSW K21 Produktseite: : Hier klicken

Anwendungsbeispiele:

  • Smartphones
  • Tablets
  • Laptops
  • VR -Headsets
  • Wearables
  • tragbare Spielkonsolen
  • Kompaktdrucker
  • LCD-Monitore
  • Drohnen
    • Einkaufsinformationen:

      Erscheinungsdatum : April&nbsp ;2025&nbsp ;

      Musterpreis : $3 ,50 pro Stück (exkl . MwSt.)

      Vertriebspartner : DigiKey (TM): Hier klicken &nbsp ;&nbsp ; &nbsp ;  

      Mouser (TM):“ Hier klicken „

      Farnell(TM): hier anklicken
      Anwendbare Teile-Nr.:AW22AR

      Das Produkt wird bald auch bei anderen Online-Händlern erhältlich sein.
      Informationen über ROHM:

      “ hier anklicken“
      Logo:< a title= "" data-mce-href=https:///cdn./kyodo/news/file/releases/m106254/" "/ rohn semiconductors/image/logo.gif"?v=“target=_ blank““““rel““““noopenner noreferer“““class=“““ external link“““href=https:///cdn./kyodo/news/file/releases/m106254/“ „/ rohn semiconductors/image/logo.gif?v=> hier anklicken
      Offizielle Webseite::
      HIER KLICKEN!
      Originalinhalt anzeigen:
      HIER KLICKEN!

      Kontakt für Presseanfragen:
      Isamu Kawashima,
      Zentrale,
      Marketing Communications Dept.,
      ROHM Co., Ltd.,
      +81-75-311-2121,
      press@rohm.co.jp *Bitte kontaktieren Sie uns per E-Mail.

      Tags: ComputerElektronikFinanzenITWirtschaft
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