Die US-amerikanische International Trade Commission (ITC) hat festgestellt, dass Innoscience gegen ein Patent von Infineon Technologies AG im Bereich der Galliumnitrid-(GaN)-Technologie verstoßen hat.
In ihrer vorläufigen Entscheidung bestätigte die ITC zudem die Rechtsgültigkeit der beiden von Infineon in diesem Verfahren geltend gemachten Patente. Der Fall dreht sich um die unautorisierte Nutzung von Infineons GaN-Technologien durch Innoscience. Sollte diese vorläufige Einschätzung endgültig bestätigt werden, wird dies ein Importverbot für die als patentverletzend eingestuften Produkte von Innoscience in den USA zur Folge haben. Die finale Entscheidung der Kommission wird für den 2. April 2026 erwartet.
Dr. Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN Systems Business Line bei Infineon, kommentiert: „Dieses Urteil unterstreicht erneut die Stärke unseres geistigen Eigentums und bekräftigt unser Engagement, unsere Patente konsequent zu schützen und so einen fairen Wettbewerb sicherzustellen.“ Er betont außerdem das Ziel des Unternehmens, Innovationen voranzutreiben und Halbleitertechnologien weiterzuentwickeln – mit Fokus auf drängende Herausforderungen wie Dekarbonisierung und digitale Transformation.
Diese Entscheidung hebt den bedeutenden Beitrag hervor, den Infineon im Bereich GaN-Technologie leistet. Parallel dazu bestätigte das Deutsche Patent- und Markenamt kürzlich ebenfalls die Gültigkeit eines weiteren Patents von Infineon mit geringfügigen Anpassungen; dieses wird aktuell am Landgericht München I wegen Patentverletzung durch Innoscience verhandelt. Bereits im August 2025 hatte dasselbe Gericht eine weitere Verletzung eines anderen Infineon-Patents festgestellt.
Infineon gilt als führender Integrated Device Manufacturer (IDM) auf dem GaN-Markt mit dem umfangreichsten IP-Portfolio seiner Branche – rund 450 Patentfamilien zu GaN-Technologien zählen dazu. Galliumnitrid ist entscheidend für leistungsstarke sowie energieeffiziente Energiesysteme in zahlreichen Bereichen wie erneuerbare Energien, KI-Rechenzentren, industrielle Automatisierung oder Elektrofahrzeuge (EVs). Dank höherer Leistungsdichte sowie schnellerer Schaltzeiten bei gleichzeitig geringeren Verlusten ermöglichen GaN-Halbleiter kompaktere Bauweisen bei reduziertem Energieverbrauch und Wärmeentwicklung. Als Vorreiter beherrscht Infineon alle drei wesentlichen Materialien: Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) sowie Galliumnitrid (GaN).
[1] US-Patent Nr.: 9.899.481
[2] US-Patente Nr.: 9.899.481 & 9.070.755
[3] Deutsches Patent DE102017100947
[4] Deutsches Patent DE102014113465
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